IGBT-Kurzschlussfestigkeit
Die IGBT-Kurzschlussfestigkeit ist abhängig von der Transkonduktanz oder Verstärkung und der Wärmekapazität des IGBT-Chips. Höhere Verstärkungen führen zu höheren Kurzschlussströmen innerhalb des IGBT, so dass es klar ist, dass IGBTs mit niedrigerer Verstärkung niedrigere Kurzschlusspegel aufweisen. Höhere Gewinne führen jedoch auch zu geringeren Einleitungsverlusten im Staat, und es müssen Kompromisse eingegangen werden. Die Entwicklung der IGBT-Technologie trägt zum Trend bei, den Kurzschlussstrom zu erhöhen, aber die Kurzschlussfestigkeit zu verkürzen. Darüber hinaus haben technologische Fortschritte zu kleineren Chipgrößen geführt, die Modulgröße reduziert, jedoch die Wärmekapazität reduziert und die Toleranzzeit weiter reduziert.
Außerdem hat es eine große Beziehung zur IGBT-Kollektor-Emitter-Spannung, so dass der parallele Trend des Industrieantriebs zu höheren DC-Busspannungsniveaus führt und die Kurzschlussfestigkeit weiter verringert. In der Vergangenheit betrug dieser Zeitbereich 10 μs, in den letzten Jahren war der Trend jedoch in Richtung 5 μs 3 und unter bestimmten Bedingungen bis zu 1 μs.
Darüber hinaus ist die Kurzschlussfestigkeit verschiedener Geräte auch recht unterschiedlich, so dass es für IGBT-Schutzschaltungen generell empfohlen wird, einen größeren Spielraum als die Bemessungsdauer für Kurzschlussfestigkeit aufzubauen.
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